TK100E08N1,S1X(S
Symbol Micros:
TTK100e08n1
Gehäuse: TO220
Trans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Äquivalent: TK100E08N1,S1X(S; TK100E08N1,S1X; TK100E08N1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 3,2mOhm |
Max. Drainstrom: | 214A |
Maximaler Leistungsverlust: | 255W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | TOSHIBA |
Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 3,2mOhm |
Max. Drainstrom: | 214A |
Maximaler Leistungsverlust: | 255W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | TOSHIBA |
Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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