TK110E65Z Toshiba Corporation
Symbol Micros:
TTK110e65z
Gehäuse: TO220
Transistor N-Kanal MOSFET; 650V; 30V; 110mOhm; 24A; 190W; -55°C~150°C; TK110E65Z,S1X(S;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 110mOhm |
Max. Drainstrom: | 24A |
Maximaler Leistungsverlust: | 190W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Toshiba |
Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 110mOhm |
Max. Drainstrom: | 24A |
Maximaler Leistungsverlust: | 190W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Toshiba |
Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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