TK110E65Z Toshiba Corporation

Symbol Micros: TTK110e65z
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Gehäuse: TO220
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Transistor N-Kanal MOSFET; 650V; 30V; 110mOhm; 24A; 190W; -55°C~150°C; TK110E65Z,S1X(S;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 24A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 24A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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