TK110P10PL,RQ(S2
Symbol Micros:
TTK110p10pl
Gehäuse: TO252
Mosfet, N-ch, 100V, 40A, TO-252
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 16mOhm |
| Max. Drainstrom: | 40A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 75W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | Toshiba |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 16mOhm |
| Max. Drainstrom: | 40A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 75W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | Toshiba |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole