TK190E65Z Toshiba Corpotation

Symbol Micros: TTK190e65z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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PWR-MOSFET N-CHANNEL TK190E65Z,S1X(S
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

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