TK190U65Z
Symbol Micros:
TTK190U65Z
Gehäuse:
DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 190mOhm |
Max. Drainstrom: | 15A |
Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
Gehäuse: | TOLL |
Hersteller: | Toshiba |
Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 190mOhm |
Max. Drainstrom: | 15A |
Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
Gehäuse: | TOLL |
Hersteller: | Toshiba |
Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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