TK190U65Z

Symbol Micros: TTK190U65Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse:  
DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TOLL
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TOLL
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD