TK1K2A60F,S4X(S

Symbol Micros: TTK1k2a60f
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 1,2 Ohm; 6A; 35W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK1K2A60F,S4X RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,5684 1,2430 1,0581 0,9714 0,9223
Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT