TK40E06N1,S1X(S

Symbol Micros: TTK40e06n1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine TK40E06N1 TK40E06N1,S1X(S
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10,4mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 67W
Gehäuse: TO220
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 10,4mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 67W
Gehäuse: TO220
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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