TK6A65D(STA4,Q,M)

Symbol Micros: TTK6a65d
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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Trans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,11Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK6A65D(STA4,Q,M) Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
31160 stk.
Anzahl Stück 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5088
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,11Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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