TK6A65D(STA4,Q,M)
Symbol Micros:
TTK6a65d
Gehäuse: TO220iso
Trans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,11Ohm |
| Max. Drainstrom: | 6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Toshiba |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,11Ohm |
| Max. Drainstrom: | 6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Toshiba |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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