TK8P60W,RVQ(S
Symbol Micros:
TTK8p60w
Gehäuse: DPAK
Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 560mOhm |
| Max. Drainstrom: | 8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 80W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | Toshiba |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 560mOhm |
| Max. Drainstrom: | 8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 80W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | Toshiba |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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