TK8P60W,RVQ(S

Symbol Micros: TTK8p60w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
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Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 560mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 80W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK8P60W,RVQ(S Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5330
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 560mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 80W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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