TN2106K1-G Microchip

Symbol Micros: TTN2106K1-G
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5Ohm; 280mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 280mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: MICROCHIP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Microchip Hersteller-Teilenummer: TN2106K1-G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 70+ 280+
Nettopreis (EUR) 0,8317 0,6179 0,4558 0,3924 0,3618
Standard-Verpackung:
70
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 280mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: MICROCHIP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD