TN2130K1-G

Symbol Micros: TTN2130k1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 300V; 20V; 25Ohm; 85mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 25Ohm
Max. Drainstrom: 85mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Supertex
Max. Drain-Source Spannung: 300V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Supertex Hersteller-Teilenummer: TN2130K1-G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5812 0,3224 0,2541 0,2400 0,2327
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 25Ohm
Max. Drainstrom: 85mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Supertex
Max. Drain-Source Spannung: 300V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole