TN2510N8-G

Symbol Micros: TTN2510n8

Gehäuse: SOT89

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 15 Ohm; 730mA; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	15Ohm
Max. Drainstrom:	730mA
Maximaler Leistungsverlust:	1,6W
Gehäuse:	SOT89
Hersteller:	Supertex
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Microchip Hersteller-Teilenummer: TN2510N8-G RoHS Gehäuse: SOT89 t/r

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10 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	100+
Nettopreis (EUR)	2,1014	1,7112	1,4856	1,3774	1,3140

Widerstand im offenen Kanal:	15Ohm
Max. Drainstrom:	730mA
Maximaler Leistungsverlust:	1,6W
Gehäuse:	SOT89
Hersteller:	Supertex
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD