TN5325K1-G

Symbol Micros: TTN5325k1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 8Ohm; 150mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8Ohm
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Supertex
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Supertex Hersteller-Teilenummer: TN5325K1-G RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7516 0,4768 0,3758 0,3429 0,3265
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 8Ohm
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Supertex
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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