TP65H150G4PS
Symbol Micros:
TTP65H150G4PS
Gehäuse: TO220
RENESAS Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 8 nC, TO-220, Through Hole
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm |
| Max. Drainstrom: | 16A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 83W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Renesas |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm |
| Max. Drainstrom: | 16A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 83W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Renesas |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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