TPH2R608NH,L1Q

Symbol Micros: TTPH2R608NH
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
Trans MOSFET N-CH Si 75V 150A 8-Pin SOP Advance TPH2R608NH,L1Q(M
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,6mOhm
Max. Drainstrom: 150A
Maximaler Leistungsverlust: 142W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 2,6mOhm
Max. Drainstrom: 150A
Maximaler Leistungsverlust: 142W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD