TPH3R203NL,L1Q TOSHIBA

Name: TTPH3r203nl TTPH3r203nl
Brand: Toshiba
SKU: TTPH3r203nl
Price: 0.3500 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TTPH3r203nl

Gehäuse: VDFN08

N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 4,7 mOhm; 47A; 44W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TPH3R203NL,L1Q(M;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,7mOhm
Max. Drainstrom:	47A
Maximaler Leistungsverlust:	44W
Gehäuse:	VDFN08
Hersteller:	TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TPH3R203NL,L1Q RoHS Gehäuse: VDFN08 Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,8058	0,5051	0,4205	0,3735	0,3500

Widerstand im offenen Kanal:	4,7mOhm
Max. Drainstrom:	47A
Maximaler Leistungsverlust:	44W
Gehäuse:	VDFN08
Hersteller:	TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD