TPH3R203NL,L1Q TOSHIBA

Symbol Micros: TTPH3r203nl
Gehäuse: VDFN08
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 4,7 mOhm; 47A; 44W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TPH3R203NL,L1Q(M;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,7mOhm
Max. Drainstrom: 47A
Maximaler Leistungsverlust: 44W
Gehäuse: VDFN08
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TPH3R203NL,L1Q RoHS Gehäuse: VDFN08 Datenblatt
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Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8047 0,5044 0,4199 0,3730 0,3496
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 4,7mOhm
Max. Drainstrom: 47A
Maximaler Leistungsverlust: 44W
Gehäuse: VDFN08
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD