TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Symbol Micros: TTPH9R00CQH,LQ
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Gehäuse: SOP08 Advance (5x5)
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UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 64A
Maximaler Leistungsverlust: 210W
Gehäuse: SOP08 Advance (5x5)
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 64A
Maximaler Leistungsverlust: 210W
Gehäuse: SOP08 Advance (5x5)
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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