TPN11006NL
Symbol Micros:
TTPN11006nl
Gehäuse: PowerTDFN8(5x6)
Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R TPN11006NL,LQ(S
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 17mOhm |
| Max. Drainstrom: | 37A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
| Gehäuse: | PowerTDFN8(5x6) |
| Hersteller: | TOSHIBA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 17mOhm |
| Max. Drainstrom: | 37A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
| Gehäuse: | PowerTDFN8(5x6) |
| Hersteller: | TOSHIBA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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