TSA9N90M TO-3P

Name: TTSA9N90M TTSA9N90M
Brand: TRUESEMI
SKU: TTSA9N90M
Price: 1.0263 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TTSA9N90M

Gehäuse: TO 3P

N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 9A; 1,4 Ohm; 30V; 130 W; -55°C~150°C; Äquivalent: 2SK3878;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,4Ohm
Max. Drainstrom:	9A
Maximaler Leistungsverlust:	130W
Gehäuse:	TO 3P
Hersteller:	TRUESEMI
Max. Drain-Source Spannung:	900V
Msx. Drain-Gate Spannung:	10V

Hersteller: TRUESEMI Hersteller-Teilenummer: TSA9N90M RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt

Auf Lager:

170 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	30+	120+	180+
Nettopreis (EUR)	1,7442	1,2876	1,0946	1,0357	1,0263

Widerstand im offenen Kanal:	1,4Ohm
Max. Drainstrom:	9A
Maximaler Leistungsverlust:	130W
Gehäuse:	TO 3P
Hersteller:	TRUESEMI
Max. Drain-Source Spannung:	900V
Msx. Drain-Gate Spannung:	10V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT