TSM05N03CW RPG

Symbol Micros: TTSM05n03cw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 5A; 3W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM05N03CW RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 25+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,3843 0,2499 0,1992 0,1631 0,1473
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Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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