TSM05N03CW RPG
Symbol Micros:
TTSM05n03cw
Gehäuse: SOT223
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 5A; 3W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 90mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
| Max. Drainstrom: | 5A |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | TAI-SEM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM05N03CW RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 25+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3825 | 0,2488 | 0,1983 | 0,1624 | 0,1467 |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM05N03CW RPG
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
4975 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2606 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 90mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
| Max. Drainstrom: | 5A |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | TAI-SEM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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