TSM120N06LCS
Symbol Micros:
TTSM120n06lcs
Gehäuse: SOP08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 15mOhm; 23A; 12,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM120N06LCS RLG;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 15mOhm |
| Max. Drainstrom: | 23A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 12,5W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | TAI-SEM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM120N06LCS RLG RoHS
Gehäuse: SOP08
Datenblatt
Auf Lager:
43 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 43+ | 215+ | 1075+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5487 | 0,3324 | 0,2595 | 0,2299 | 0,2195 |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM120N06LCS RLG RoHS
Gehäuse: SOP08
Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 7+ | 28+ | 105+ | 413+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5487 | 0,3597 | 0,2709 | 0,2345 | 0,2195 |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM120N06LCS RLG
Gehäuse: SOP08
Externes Lager:
5000 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4008 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 15mOhm |
| Max. Drainstrom: | 23A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 12,5W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | TAI-SEM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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