TSM210N02CX

Symbol Micros: TTSM210n02cx
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A TSM210N02CX RFG; TSM210N02CXRFG; TSM210N02CX-RFG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 21mOhm
Max. Drainstrom: 6,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,56W
Gehäuse: SOT-23
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM210N02CX RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5639 0,3407 0,2631 0,2373 0,2253
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 21mOhm
Max. Drainstrom: 6,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,56W
Gehäuse: SOT-23
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole