TSM2301ACX RFG

Symbol Micros: TTSM2301acx
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Ch 20V 2,8A 0,7W 0,19R SOT23 obsolete; TSM2301ACX ; TSM2301ACX RFG ; TSM2301ACX RF-VB; replaced by TSM650P02CX RFG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 2,8A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TAIW-SEMIC
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 2,8A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TAIW-SEMIC
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD