TSM2305CX
Symbol Micros:
TTSM2305cx
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 130 mOhm; 3,2A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM2305CX RFG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 130mOhm |
Max. Drainstrom: | 3,2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,25W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | TAI-SEM |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM2305CX RFG RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
170 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2772 | 0,1520 | 0,0996 | 0,0900 | 0,0794 |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM2305CX
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
12200 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1755 |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM2305CX RFG
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
45000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0794 |
Widerstand im offenen Kanal: | 130mOhm |
Max. Drainstrom: | 3,2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,25W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | TAI-SEM |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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