TSM2305CX

Symbol Micros: TTSM2305cx
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 130 mOhm; 3,2A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM2305CX RFG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 130mOhm
Max. Drainstrom: 3,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2305CX RFG RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
170 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2772 0,1520 0,0996 0,0900 0,0794
Standard-Verpackung:
200
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2305CX Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
12200 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1755
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2305CX RFG Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
45000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0794
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 130mOhm
Max. Drainstrom: 3,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD