TSM2305CX

Symbol Micros: TTSM2305cx
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 130 mOhm; 3,2A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM2305CX RFG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 130mOhm
Max. Drainstrom: 3,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2305CX RFG RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
170 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2802 0,1537 0,1007 0,0910 0,0803
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 130mOhm
Max. Drainstrom: 3,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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