TSM2307CX

Symbol Micros: TTSM2307cx

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 140 mOhm; 3A; 1,25 W; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM2307CX RFG;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	140mOhm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,25W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2307CX RFG RoHS 07.. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

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100 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,5733	0,3595	0,2984	0,2655	0,2490

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2307CX RFG Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

12000 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2490

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2307CX Gehäuse: SOT23

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11200 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2490

Widerstand im offenen Kanal:	140mOhm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,25W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-50°C ~ 150°C
Montage:	SMD