TSM2308CX
Symbol Micros:
TTSM2308cx
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 192 mOhm; 3A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM2308CX RFG;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 192mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,25W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | TAI-SEM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM2308CX RFG RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7203 | 0,4519 | 0,3743 | 0,3343 | 0,3131 |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM2308CX RFG
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
12000 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3131 |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM2308CX RFG
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
33000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3131 |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM2308CX
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
10700 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3131 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 192mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,25W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | TAI-SEM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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