TSM2308CX

Symbol Micros: TTSM2308cx
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 192 mOhm; 3A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM2308CX RFG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 192mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2308CX RFG RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6990 0,4386 0,3632 0,3244 0,3038
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 192mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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