TSM2308CX RFG-VB SOT23(T/R) VBSEMI

Symbol Micros: TTSM2308cx VBS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 86mOhm; 4A; 1,66W; -55°C ~ 150°C; Ersatz für: TSM2308CX RFG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 86mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 1,66W
Max. Drainstrom: 4A
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: TSM2308CX RFG-VB RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3080 0,1643 0,1279 0,1155 0,1118
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 86mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 1,66W
Max. Drainstrom: 4A
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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