TSM230N06CP
Symbol Micros:
TTSM230n06cp
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 28mOhm; 50A; 53W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM230N06CP ROG;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 28mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 53W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | TAI-SEM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM230N06CP ROG RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9157 | 0,6709 | 0,5390 | 0,4614 | 0,4355 |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM230N06CP ROG
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
15000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4355 |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM230N06CP ROG
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
2475 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4355 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 28mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 53W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | TAI-SEM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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