TSM230N06CP

Symbol Micros: TTSM230n06cp
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Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 28mOhm; 50A; 53W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM230N06CP ROG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 53W
Max. Drainstrom: 50A
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM230N06CP ROG Gehäuse: TO252 (DPAK)  
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Nettopreis (EUR) 0,3213
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Standard-Verpackung:
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Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 53W
Max. Drainstrom: 50A
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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