TSM2312CX RFG

Symbol Micros: TTSM2312cx
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Gehäuse: SOT23-3
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N-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 51mOhm; 4,9A; 750 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM2312CX-RFG; TSM2312CXRFG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 51mOhm
Max. Drainstrom: 4,9A
Maximaler Leistungsverlust: 750mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2312CX RFG RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5201 0,3159 0,2422 0,2185 0,2078
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 51mOhm
Max. Drainstrom: 4,9A
Maximaler Leistungsverlust: 750mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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