TSM2314CX RFG

Symbol Micros: TTSM2314cx
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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N-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 100 mOhm; 4,9A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 4,9A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2314CX RFG RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2660 0,1413 0,1097 0,1012 0,0969
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 4,9A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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