TSM2314CX RFG
Symbol Micros:
TTSM2314cx
Gehäuse: SOT23-3
N-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 100 mOhm; 4,9A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 100mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,9A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,25W |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | TAI-SEM |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM2314CX RFG RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2631 | 0,1398 | 0,1085 | 0,1001 | 0,0959 |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM2314CX
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
15600 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1689 |
Widerstand im offenen Kanal: | 100mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,9A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,25W |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | TAI-SEM |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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