TSM2318CX Taiwan Semi

Name: TTSM2318cx TTSM2318cx
Brand: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
SKU: TTSM2318cx
Price: 0.1905 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TTSM2318cx

Gehäuse: SOT23-3

N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 62,5 mOhm; 3,9A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	62,5mOhm
Max. Drainstrom:	3,9A
Maximaler Leistungsverlust:	1,25W
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2318CX RFG RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt

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100 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3037	0,1615	0,1252	0,1156	0,1107

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2318CX RFG Gehäuse: SOT23-3

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18000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1165

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2318CX Gehäuse: SOT23-3

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25800 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1834

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2318CX RFG Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

17500 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1905

Widerstand im offenen Kanal:	62,5mOhm
Max. Drainstrom:	3,9A
Maximaler Leistungsverlust:	1,25W
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD