TSM2323CX RFG

Symbol Micros: TTSM2323cx

Gehäuse: SOT23-3

P-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 68mOhm; 4,7A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent:TSM2323CX RF; TSM2323CXRF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	68mOhm
Max. Drainstrom:	4,7A
Maximaler Leistungsverlust:	1,25W
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2323CX RFG RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt

Auf Lager:

31 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6238	0,3955	0,3107	0,2825	0,2707

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2323CX Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

4000 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2707

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2323CX RFG Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

36000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2707

Widerstand im offenen Kanal:	68mOhm
Max. Drainstrom:	4,7A
Maximaler Leistungsverlust:	1,25W
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD