TSM250N02CX RFG
Symbol Micros:
TTSM250n02cx
Gehäuse: SOT23-3
N-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 55mOhm; 5,8A; 1,56 W; -55 °C ~ 150 °C; Ersatz für TSM2302CX RFG;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 55mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,56W |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | TAI-SEM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM250N02CX RFG RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2725 | 0,1490 | 0,0977 | 0,0881 | 0,0778 |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM250N02CX RFG
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
9000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1009 |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM250N02CX RFG
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
24600 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1000 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 55mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,56W |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | TAI-SEM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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