TSM250N02CX RFG

Symbol Micros: TTSM250n02cx
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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N-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 55mOhm; 5,8A; 1,56 W; -55 °C ~ 150 °C; Ersatz für TSM2302CX RFG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 5,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,56W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM250N02CX RFG RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2755 0,1506 0,0988 0,0891 0,0786
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 5,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,56W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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