TSM2NB60CP ROG

Symbol Micros: TTSM2nb60cp
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
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N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 4,4 Ohm; 2A; 44W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,4Ohm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 44W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2NB60CP ROG RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 25+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6009 0,3776 0,3206 0,2779 0,2612
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Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 4,4Ohm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 44W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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