TSM35N10CP

Symbol Micros: TTSM35n10cp

Gehäuse: TO252 (DPAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 42mOhm; 32A; 83,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM35N10CP ROG;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	42mOhm
Max. Drainstrom:	32A
Maximaler Leistungsverlust:	83,3W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM35N10CP RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1004	0,8384	0,6948	0,6083	0,5787

Widerstand im offenen Kanal:	42mOhm
Max. Drainstrom:	32A
Maximaler Leistungsverlust:	83,3W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD