TSM480P06CP

Symbol Micros: TTSM480p06cp

Gehäuse: TO252 (DPAK)

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 65mOhm; 20A; 40W; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM480P06CP ROG;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	65mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	40W
Gehäuse:	TO252 (DPAK)
Hersteller:	TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM480P06CP ROG RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

60 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	0,8603	0,5720	0,4736	0,4279	0,4096

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM480P06CP ROG Gehäuse: TO252 (DPAK)

Externes Lager:

2925 stk.

Anzahl Stück	25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4096

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM480P06CP ROG Gehäuse: TO252 (DPAK)

Externes Lager:

15000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4096

Widerstand im offenen Kanal:	65mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	40W
Gehäuse:	TO252 (DPAK)
Hersteller:	TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-50°C ~ 150°C
Montage:	SMD