TSM650P02CX
Symbol Micros:
TTSM650p02cx
Gehäuse: SOT23
MOSFET P-Channel 20V 4,1A SOT23 TSM650P02CX RFG ; Ersatz für das abgekündigte TSM2301ACX RFG;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 130mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,56W |
| Max. Drainstrom: | 4,1A |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM650P02CX RFG
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
7300 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0872 |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM650P02CX RFG
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
42000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0453 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 130mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,56W |
| Max. Drainstrom: | 4,1A |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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