TSM650P03CX

Name: TTSM650p03cx TTSM650p03cx
Brand: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
SKU: TTSM650p03cx
Price: 0.0987 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TTSM650p03cx

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 100 mOhm; 4.1A; 1,56 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent:TSM650P03CX RFG;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	4,1A
Maximaler Leistungsverlust:	1,56W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM650P03CX RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

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200 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2796	0,1534	0,1006	0,0907	0,0801

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM650P03CX RFG Gehäuse: SOT23

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120000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1037

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM650P03CX RFG Gehäuse: SOT23

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6000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0947

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM650P03CX RFG Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

10700 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0987

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	4,1A
Maximaler Leistungsverlust:	1,56W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD