TSM650P03CX

Symbol Micros: TTSM650p03cx
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 100 mOhm; 4.1A; 1,56 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent:TSM650P03CX RFG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,56W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM650P03CX RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2826 0,1551 0,1016 0,0917 0,0810
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,56W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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