TSM680P06CP

Symbol Micros: TTSM680p06cp
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO252 TSM680P06CP ROG; TSM680P06CP-ROG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 68mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 20W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM680P06CP RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9072 0,6032 0,4987 0,4512 0,4322
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 68mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 20W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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