TSM900N06CW

Symbol Micros: TTSM900n06cw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 100 mOhm; 11A; 4,17 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM900N06CW RPG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 4,17W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM900N06CW RPG RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6887 0,4322 0,3586 0,3206 0,2992
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 4,17W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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