TSM900N06CW

Name: TTSM900n06cw TTSM900n06cw
Brand: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
SKU: TTSM900n06cw
Price: 0.2899 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TTSM900n06cw

Gehäuse: SOT223

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 100 mOhm; 11A; 4,17 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM900N06CW RPG;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	4,17W
Max. Drainstrom:	11A
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM900N06CW RPG RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

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Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6672	0,4187	0,3474	0,3106	0,2899

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM900N06CW RPG Gehäuse: SOT223

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4200 stk.

Anzahl Stück	25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2899

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM900N06CW RPG Gehäuse: SOT223

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7500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2899

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	4,17W
Max. Drainstrom:	11A
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD