UM8516

Symbol Micros: TUM8516
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-6
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 75 mOhm; 4A; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: SOT23-6
Hersteller: Union Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: UNION Hersteller-Teilenummer: UM8516 RoHS Gehäuse: SOT23-6/t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2660 0,1457 0,0956 0,0862 0,0760
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: SOT23-6
Hersteller: Union Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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