UM8517P

Symbol Micros: TUM8517p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 150 mOhm; 1,4A; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 1,4A
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: Union Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: UNION Hersteller-Teilenummer: UM8517P RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2913 0,1598 0,1048 0,0944 0,0834
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 1,4A
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: Union Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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