UT6K3TCR DFN2020-8 ROHM

Symbol Micros: TUT6K3TCR
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DFN08
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 5.5A
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 63mOhm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: DFN2020-8D
Hersteller: ROHM Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 63mOhm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: DFN2020-8D
Hersteller: ROHM Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD