VBZ3400 SOT23 VBSEMI

Symbol Micros: TVBZ3400 VBS

Gehäuse: SOT23

Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 33mOhm; 6,5A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AO3400; RC3400A; KO3400; YJL3400B;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	33mOhm
Max. Drainstrom:	6,5A
Maximaler Leistungsverlust:	1,7W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VBsemi
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Widerstand im offenen Kanal:	33mOhm
Max. Drainstrom:	6,5A
Maximaler Leistungsverlust:	1,7W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VBsemi
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD