VNB20N07-E

Symbol Micros: TVNB20n07
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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OMNI-FET-Transistor; 70V; 70mOhm; 20A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: VNB20N07TR-E;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 70V
Transistor-Typ: OMNI-FET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: VNB20N07-E RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
16 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 20+ 100+
Nettopreis (EUR) 2,7765 2,3888 2,1603 2,0818 1,9826
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Standard-Verpackung:
10/20
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 70V
Transistor-Typ: OMNI-FET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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