VNB20N07-E

Name: TVNB20n07 TVNB20n07
Brand: ST
SKU: TVNB20n07
Price: 2.0182 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TVNB20n07

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

OMNI-FET-Transistor; 70V; 70mOhm; 20A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: VNB20N07TR-E;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	70mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	83W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	70V
Transistor-Typ:	OMNI-FET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: VNB20N07-E RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt

Auf Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	20+	100+
Nettopreis (EUR)	2,8264	2,4317	2,1991	2,1192	2,0182

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: VNB20N07TR-E Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

4000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,0182

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: VNB20N07TR-E Gehäuse: TO263 (D2PAK)

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7000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,0182

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: VNB20N07TR-E Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

25000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,0182

Widerstand im offenen Kanal:	70mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	83W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	70V
Transistor-Typ:	OMNI-FET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD