VND10N06

Name: TVND10n06 TVND10n06
Brand: ST
SKU: TVND10n06
Price: 0.7458 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TVND10n06

Gehäuse: TO252

OMNI-FET-Transistor; 60V; 300 mOhm; 10A; 35W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: VND10N06-E; VND10N06TR-E;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	300mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	35W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	OMNI-FET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: VND10N06 RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt

Auf Lager:

40 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,3744	1,0502	0,8693	0,7612	0,7236

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: VND10N06TR-E Gehäuse: TO252

Externes Lager:

180000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7458

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: VND10N06TR-E Gehäuse: TO252

Externes Lager:

15000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7420

Widerstand im offenen Kanal:	300mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	35W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	OMNI-FET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD