VND14NV04-E

Symbol Micros: TVND14nv04
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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OMNI-FET-Transistor; 40V; 70mOhm; 12A; 74W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: VND14NV04-E; VND14NV04TR-E;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO252
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: OMNI-FET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: VND14NV04TR-E Gehäuse: TO252  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8037
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: VND14NV04TR-E Gehäuse: TO252  
Externes Lager:
270000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,0106
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: VND14NV04TR-E Gehäuse: TO252  
Externes Lager:
12500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9740
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO252
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: OMNI-FET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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