VND14NV04-E

Symbol Micros: TVND14nv04
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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OMNI-FET-Transistor; 40V; 70mOhm; 12A; 74W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: VND14NV04-E; VND14NV04TR-E;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO252
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: OMNI-FET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO252
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: OMNI-FET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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