VND3NV04TR-E
Symbol Micros:
TVND3nv04
Gehäuse: TO252 (DPAK)
MOSFET POWER OMNIFET II DPAK VND3NV0413TR; VND3NV04-E; VND3NV04TR-E; VND3NV04;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 35W |
| Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
| Hersteller: | ST |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 150°C |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: VND3NV04TR-E
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Externes Lager:
2500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6898 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 35W |
| Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
| Hersteller: | ST |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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