VND5N07-E

Name: TVND5n07-e TVND5n07-e
Brand: ST
SKU: TVND5n07-e
Price: 1.3276 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TVND5n07-e

Gehäuse: TO252

OMNI-FET-Transistor; 70V; 280 mOhm; 5A; 60W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: VND5N07TR-E;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	280mOhm
Max. Drainstrom:	5A
Maximaler Leistungsverlust:	60W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	70V
Transistor-Typ:	OMNI-FET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: VND5N07-E RoHS Gehäuse: TO252 Datenblatt

Auf Lager:

60 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	75+	150+
Nettopreis (EUR)	2,1236	1,6221	1,4357	1,3529	1,3276

Widerstand im offenen Kanal:	280mOhm
Max. Drainstrom:	5A
Maximaler Leistungsverlust:	60W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	70V
Transistor-Typ:	OMNI-FET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD