VND5N07-E
Symbol Micros:
TVND5n07-e
Gehäuse: TO252
OMNI-FET-Transistor; 70V; 280 mOhm; 5A; 60W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: VND5N07TR-E;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 70V |
| Transistor-Typ: | OMNI-FET |
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 75+ | 150+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,1665 | 1,6548 | 1,4647 | 1,3802 | 1,3543 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: VND5N07TR-E
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
25000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,3543 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: VND5N07TR-E
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
142500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,3543 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: VND5N07TR-E
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
270017 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,3543 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 70V |
| Transistor-Typ: | OMNI-FET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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