VND7NV04

Symbol Micros: TVND7nv04
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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OMNI-FET-Transistor; 40V; 120 mOhm; 6A; 60W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: VND7NV04-E; VND7NV04TR-E;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO252
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: OMNI-FET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO252
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: OMNI-FET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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